Продукція > LITTELFUSE > IXYJ20N120C3D1

IXYJ20N120C3D1 Littelfuse

Name: IXYJ20N120C3D1
Brand: IXYS
SKU: 155550-4
Price: 278703 UAH
Availability: BackOrder

se_discrete_igbts_xpt_planar_1200v_xpt_product_flyer.pdf.pdf

Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 ISO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXYJ20N120C3D1 Littelfuse

Description: IGBT 1200V 21A ISO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 195 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: ISO247, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns, Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 53 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 21 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A, Power - Max: 105 W.

Інші пропозиції IXYJ20N120C3D1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXYJ20N120C3D1	Виробник : IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 21A Power dissipation: 105W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Turn-on time: 20ns Turn-off time: 90ns кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXYJ20N120C3D1	Виробник : IXYS	Description: IGBT 1200V 21A ISO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: ISO247 Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 84 A Power - Max: 105 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXYJ20N120C3D1	Виробник : IXYS	IGBTs XPT 1200V IGBT GenX7 XPT IGBT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXYJ20N120C3D1	Виробник : IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 21A Power dissipation: 105W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Turn-on time: 20ns Turn-off time: 90ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.