Продукція > IXYS > IXYK100N120C3
IXYK100N120C3

IXYK100N120C3 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx100n120c3_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 188A 1150W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 188 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 490 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 81 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1900.05 грн
10+ 1687.46 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYK100N120C3 IXYS

Description: IGBT 1200V 188A 1150W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-264 (IXYK), Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns, Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off), Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 270 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 188 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 490 A, Power - Max: 1150 W.

Інші пропозиції IXYK100N120C3 за ціною від 1292.5 грн до 1915.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXYK100N120C3 IXYK100N120C3 Виробник : IXYS ixys_s_a0005444853_1-2272587.pdf IGBT Transistors 1200V 188A XPT IGBT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1915.27 грн
10+ 1741.27 грн
25+ 1445.38 грн
100+ 1292.5 грн
IXYK100N120C3 IXYK100N120C3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx100n120c3_datasheet.pdf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Mounting: THT
Gate charge: 260C
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
товар відсутній
IXYK100N120C3 IXYK100N120C3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx100n120c3_datasheet.pdf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Mounting: THT
Gate charge: 260C
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
товар відсутній