IXYK100N65B3D1 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 225A TO264
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Gate Charge: 168 nC
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Switching Energy: 1.27mJ (on), 2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/150ns
Supplier Device Package: TO-264
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYK100N65B3D1 IXYS
Description: IGBT 650V 225A TO264, Power - Max: 830 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 225 A, Gate Charge: 168 nC, Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V, Switching Energy: 1.27mJ (on), 2mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 29ns/150ns, Supplier Device Package: TO-264, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A, Reverse Recovery Time (trr): 37 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXYK100N65B3D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXYK100N65B3D1 | IXYS |
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-264(3) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXYK100N65B3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-264(3)
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-264(3)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


