IXYK110N120B4 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 340A TO-264
Power - Max: 1360 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 340 A
Part Status: Active
Gate Charge: 340 nC
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 3.6mJ (on), 3.85mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/390ns
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1595.98 грн |
| 25+ | 1000.74 грн |
| 100+ | 912.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYK110N120B4 IXYS
Description: IGBT 1200V 340A TO-264, Power - Max: 1360 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 340 A, Part Status: Active, Gate Charge: 340 nC, Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V, Switching Energy: 3.6mJ (on), 3.85mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 45ns/390ns, Supplier Device Package: TO-264 (IXYK), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXYK110N120B4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXYK110N120B4 | IXYS |
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264 |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
IXYK110N120B4 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXYK110N120B4 - IGBT, 340 A, 1.66 V, 1.36 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.36kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XPT Gen 4 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 340A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXYK110N120B4 |
![]() |
Виробник: IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXYK110N120B4 |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXYK110N120B4 - IGBT, 340 A, 1.66 V, 1.36 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 340A
SVHC: To Be Advised
Description: LITTELFUSE - IXYK110N120B4 - IGBT, 340 A, 1.66 V, 1.36 kW, 1.2 kV, TO-264, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 340A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




