IXYN100N120C3 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 152 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3306.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYN100N120C3 IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 152 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 830 W, Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V.
Інші пропозиції IXYN100N120C3 за ціною від 2617.04 грн до 3416.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYN100N120C3 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT |
на замовлення 17 шт: термін постачання 337-346 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXYN100N120C3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 152A 830000mW |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXYN100N120C3 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 84A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 460A Power dissipation: 830W Technology: GenX3™; XPT™ Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXYN100N120C3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 152A 830000mW |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXYN100N120C3 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 84A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 460A Power dissipation: 830W Technology: GenX3™; XPT™ Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |