Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXYN100N120C3H1
IXYN100N120C3H1

IXYN100N120C3H1 IXYS SEMICONDUCTOR

IXYS-S-A0005444546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V
Verlustleistung Pd: 690W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 134A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 134A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3025.76 грн
5+2783.56 грн
10+2078.14 грн
50+1868.37 грн
100+1667.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYN100N120C3H1 IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V, Verlustleistung Pd: 690W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 690W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 134A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: XPT GenX3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 134A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXYN100N120C3H1 за ціною від 2384.72 грн до 3699.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYN100N120C3H1 IXYN100N120C3H1 Виробник : IXYS media-3322907.pdf IGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3101.87 грн
10+2797.12 грн
100+2384.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1 Виробник : IXYS littelfusediscreteigbtsxptixyn100n120c3h1data.pdf IXYN100N120C3H1 IGBT modules
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3699.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1 IXYN100N120C3H1 Виробник : Littelfuse 1475viewer.aspxphttp3a2f2fixapps.ixys.fdatasheet2fds100407cixyn10.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 134A 690000mW 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1 IXYN100N120C3H1 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 140A 690W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN100N120C3H1 IXYN100N120C3H1 Виробник : IXYS littelfusediscreteigbtsxptixyn100n120c3h1data.pdf Description: IGBT MODULE 1200V 134A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.