IXYN100N120C3H1 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2864.47 грн |
| 10+ | 2058.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYN100N120C3H1 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V, Dauer-Kollektorstrom: 134A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V, Verlustleistung Pd: 690W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 690W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: XPT GenX3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 134A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXYN100N120C3H1 за ціною від 1655.42 грн до 3956.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYN100N120C3H1 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227BtariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V Dauer-Kollektorstrom: 134A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V Verlustleistung Pd: 690W euEccn: NLR Verlustleistung: 690W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: XPT GenX3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 134A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXYN100N120C3H1 | Виробник : IXYS |
IGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXYN100N120C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 62A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 440A Technology: GenX3™; XPT™ Mechanical mounting: screw Power dissipation: 690W |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXYN100N120C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 62A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 440A Technology: GenX3™; XPT™ Mechanical mounting: screw Power dissipation: 690W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXYN100N120C3H1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 134A 690000mW 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXYN100N120C3H1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 140A 690W 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |