
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2268.47 грн |
10+ | 1695.45 грн |
100+ | 1380.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYN100N65A3 IXYS
Description: IGBT MOD 650V 170A 600W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: PT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 170 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 600 W, Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA.
Інші пропозиції IXYN100N65A3 за ціною від 2171.21 грн до 2827.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXYN100N65A3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXYN100N65A3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXYN100N65A3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 650V Collector current: 100A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 460A Power dissipation: 600W Technology: GenX3™; XPT™ Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXYN100N65A3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MOD 650V 170A 600W SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 70A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 170 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXYN100N65A3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 650V Collector current: 100A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 460A Power dissipation: 600W Technology: GenX3™; XPT™ Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |