IXYN100N65C3H1 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN100N65C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 600W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 160A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2162.23 грн |
| 5+ | 2021.55 грн |
| 10+ | 1881.72 грн |
| 50+ | 1616.68 грн |
| 100+ | 1371.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYN100N65C3H1 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXYN100N65C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: 600W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 160A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 160A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXYN100N65C3H1 за ціною від 1325.58 грн до 2171.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYN100N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis, Stud Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 166 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXYN100N65C3H1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 600W 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXYN100N65C3H1 | Виробник : IXYS |
IGBTs 650V/166A XPT Copacked SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXYN100N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B; 600W Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 600W Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: screw Collector current: 90A Type of semiconductor module: IGBT Pulsed collector current: 420A Max. off-state voltage: 650V |
товару немає в наявності |