IXYN100N65C3H1 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2146.28 грн |
| 10+ | 1518.58 грн |
| 100+ | 1310.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYN100N65C3H1 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXYN100N65C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: 600W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 160A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 160A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXYN100N65C3H1 за ціною від 1364.69 грн до 2275.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYN100N65C3H1 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXYN100N65C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: 600W euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 160A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXYN100N65C3H1 | Виробник : IXYS |
IGBTs 650V/166A XPT Copacked SOT-227B |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXYN100N65C3H1 | Виробник : IXYS |
IXYN100N65C3H1 IGBT modules |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IXYN100N65C3H1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 600W 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |