IXYN100N65C3H1 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXYN100N65C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 600W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2355.45 грн |
| 10+ | 2172.89 грн |
| 30+ | 2014.17 грн |
| 100+ | 1722.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYN100N65C3H1 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXYN100N65C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, Dauer-Kollektorstrom: 160A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: 600W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 160A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IXYN100N65C3H1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYN100N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B; 600W Technology: GenX3™; XPT™ Collector current: 90A Power dissipation: 600W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 420A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXYN100N65C3H1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 600W 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|
 |
IXYN100N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis, Stud Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 166 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IXYN100N65C3H1 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors 650V/166A XPT Copacked SOT-227B |
товар відсутній |
|
|
|
IXYN100N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B; 600W Technology: GenX3™; XPT™ Collector current: 90A Power dissipation: 600W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 420A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |