
IXYN110N120A4 IXYS

Description: IGBT PT 1200V 275A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/550ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 275 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 950 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2718.43 грн |
10+ | 1948.20 грн |
100+ | 1752.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYN110N120A4 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXYN110N120A4 - IGBT-Modul, Einfach, 275 A, 1.7 V, 830 W, 175 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 275A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 830W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: SOT-227, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 275A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 275A, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXYN110N120A4 за ціною від 1790.23 грн до 3073.50 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXYN110N120A4 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXYN110N120A4 | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 275A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 830W euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Bauform - Transistor: SOT-227 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 275A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 275A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|