IXYN110N120C4 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 220A 830W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.42 nF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2768.52 грн |
| 10+ | 1984.20 грн |
| 100+ | 1682.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYN110N120C4 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXYN110N120C4 - IGBT-Modul, Einfach, 220 A, 1.9 V, 830 W, 175 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V, Dauer-Kollektorstrom: 220A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: SOT-227, Produktpalette: XPT Gen4 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXYN110N120C4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYN110N120C4 | IXYS |
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT SOT227B |
на замовлення 389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXYN110N120C4 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXYN110N120C4 - IGBT-Modul, Einfach, 220 A, 1.9 V, 830 W, 175 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V Dauer-Kollektorstrom: 220A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Bauform - Transistor: SOT-227 Produktpalette: XPT Gen4 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXYN110N120C4 |
|
Виробник: IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT SOT227B
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT SOT227B
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXYN110N120C4 |
|
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXYN110N120C4 - IGBT-Modul, Einfach, 220 A, 1.9 V, 830 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Dauer-Kollektorstrom: 220A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Produktpalette: XPT Gen4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: LITTELFUSE - IXYN110N120C4 - IGBT-Modul, Einfach, 220 A, 1.9 V, 830 W, 175 °C, SOT-227
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Dauer-Kollektorstrom: 220A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: SOT-227
Produktpalette: XPT Gen4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)