Продукція > IXYS > IXYN110N120C4H1
IXYN110N120C4H1

IXYN110N120C4H1 IXYS

ixyn110n120c4h1-datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Description: 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5420 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Power - Max: 830 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: SOT-227B
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2963.25 грн
10+2140.35 грн
100+1971.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYN110N120C4H1 IXYS

Description: 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5420 pF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Power - Max: 830 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 210 A, IGBT Type: Trench, Supplier Device Package: SOT-227B, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: Single, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXYN110N120C4H1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYN110N120C4H1 IXYN110N120C4H1 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYN110N120C4H1_Datasheet.pdf IGBT Modules IXYN110N120C4H1
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN110N120C4H1 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYN110N120C4H1_Datasheet.pdf
IXYN110N120C4H1
Виробник: IXYS
IGBT Modules IXYN110N120C4H1
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.