
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2779.33 грн |
10+ | 2601.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYN120N120C3 IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 240A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 240 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1200 W, Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA.
Інші пропозиції IXYN120N120C3 за ціною від 1922.01 грн до 2934.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXYN120N120C3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT MOD 1200V 240A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 120A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B - miniBLOC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1200 W Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXYN120N120C3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXYN120N120C3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 1.2kW Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 700A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXYN120N120C3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 1.2kW Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 120A Pulsed collector current: 700A |
товару немає в наявності |