IXYN120N65B3D1 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 250A SOT227B
Power - Max: 830 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 770 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Gate Charge: 250 nC
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: SOT-227B
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYN120N65B3D1 IXYS
Description: IGBT PT 650V 250A SOT227B, Power - Max: 830 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 770 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 250 A, Gate Charge: 250 nC, Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V, Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: SOT-227B, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, Reverse Recovery Time (trr): 28 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXYN120N65B3D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXYN120N65B3D1 | IXYS |
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXYN120N65B3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



