Продукція > LITTELFUSE > IXYN120N65B3D1

IXYN120N65B3D1 Littelfuse

media?resourcetype=datasheets&itemid=85c42fd2-ffe0-4ff4-aae7-4fbbb43907da&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn120n65b3d1_datasheet.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Module N-CH 650V 250A 830000mW
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5777.39 грн
10+5439.34 грн
25+5188.82 грн
50+4692.30 грн
100+4144.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYN120N65B3D1 Littelfuse

Description: IGBT PT 650V 250A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 28 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns, Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 250 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 250 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 770 A, Power - Max: 830 W.

Інші пропозиції IXYN120N65B3D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYN120N65B3D1 IXYN120N65B3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=85c42fd2-ffe0-4ff4-aae7-4fbbb43907da&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn120n65b3d1_datasheet.pdf Description: IGBT PT 650V 250A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns
Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 770 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1 IXYN120N65B3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=85c42fd2-ffe0-4ff4-aae7-4fbbb43907da&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn120n65b3d1_datasheet.pdf IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=85c42fd2-ffe0-4ff4-aae7-4fbbb43907da&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn120n65b3d1_datasheet.pdf
IXYN120N65B3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 250A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/168ns
Switching Energy: 1.34mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 770 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN120N65B3D1 media?resourcetype=datasheets&itemid=85c42fd2-ffe0-4ff4-aae7-4fbbb43907da&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn120n65b3d1_datasheet.pdf
IXYN120N65B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.