
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2026.44 грн |
10+ | 1774.98 грн |
20+ | 1439.73 грн |
50+ | 1394.85 грн |
100+ | 1361.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYN150N60B3 IXYS
Description: IGBT 600V 250A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 88 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A, Supplier Device Package: SOT-227B, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/167ns, Switching Energy: 4.2mJ (on), 2.6mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 260 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 250 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A, Power - Max: 830 W.
Інші пропозиції IXYN150N60B3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXYN150N60B3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 830W Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 0.6kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 140A Pulsed collector current: 750A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXYN150N60B3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 600V 250A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 88 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A Supplier Device Package: SOT-227B Td (on/off) @ 25°C: 27ns/167ns Switching Energy: 4.2mJ (on), 2.6mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 260 nC Current - Collector (Ic) (Max): 250 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 750 A Power - Max: 830 W |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXYN150N60B3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 830W Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 0.6kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 140A Pulsed collector current: 750A |
товару немає в наявності |