Продукція > IXYS > IXYN50N170CV1
IXYN50N170CV1

IXYN50N170CV1 IXYS


Виробник: IXYS
Description: IGBT 1700V 120A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A
Power - Max: 880 W
на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3437.31 грн
10+2572.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYN50N170CV1 IXYS

Description: IGBT 1700V 120A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 255 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: SOT-227B, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns, Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off), Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 260 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A, Power - Max: 880 W.

Інші пропозиції IXYN50N170CV1 за ціною від 2778.87 грн до 3894.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1 Виробник : IXYS media-3320798.pdf IGBT Transistors 1700V/120A High Volt
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3894.70 грн
10+3420.13 грн
20+2876.06 грн
50+2824.02 грн
100+2778.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F3429480779820&compId=IXYN50N170CV1.pdf?ci_sign=61ed5f3699ed63ebaafb0c8b7374a82dab62642e Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 485A
Power dissipation: 880W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0F3429480779820&compId=IXYN50N170CV1.pdf?ci_sign=61ed5f3699ed63ebaafb0c8b7374a82dab62642e Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 485A
Power dissipation: 880W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: XPT™
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.