Продукція > IXYS > IXYN75N65C3D1

IXYN75N65C3D1 IXYS


media?resourcetype=datasheets&itemid=E2B2305A-9E89-4C80-8C55-A8326724C428&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYN75N65C3D1-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/93ns
Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 600 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYN75N65C3D1 IXYS

Description: IGBT 650V 150A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: SOT-227B, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/93ns, Switching Energy: 2mJ (on), 950µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 122 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A, Power - Max: 600 W.

Інші пропозиції IXYN75N65C3D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYN75N65C3D1 IXYN75N65C3D1 IXYS media-3323560.pdf IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1 media-3323560.pdf
Виробник: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.