Продукція > IXYS > IXYN75N65C3D1
IXYN75N65C3D1

IXYN75N65C3D1 IXYS

media?resourcetype=datasheets&itemid=E2B2305A-9E89-4C80-8C55-A8326724C428&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYN75N65C3D1-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 150A SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYN75N65C3D1 IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W, Collector current: 75A, Power dissipation: 600W, Case: SOT227B, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 360A, Mechanical mounting: screw, Max. off-state voltage: 650V, Electrical mounting: screw, Semiconductor structure: single transistor, Type of semiconductor module: IGBT, Technology: GenX3™; XPT™.

Інші пропозиції IXYN75N65C3D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYN75N65C3D1 IXYN75N65C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYN75N65C3D1_Datasheet.PDF IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1 IXYN75N65C3D1 IXYS IXYN75N65C3D1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Collector current: 75A
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYN75N65C3D1_Datasheet.PDF
IXYN75N65C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN75N65C3D1 IXYN75N65C3D1.pdf
IXYN75N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Collector current: 75A
Power dissipation: 600W
Case: SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.