IXYN82N120C3H1 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.06 nF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3245.68 грн |
| 10+ | 2785.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYN82N120C3H1 IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 105 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.06 nF @ 25 V.
Інші пропозиції IXYN82N120C3H1 за ціною від 2365.42 грн до 3739.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYN82N120C3H1 | Виробник : IXYS |
IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 1200V/105A; Copack |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXYN82N120C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 66A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 66A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 320A Power dissipation: 500W Technology: GenX3™; XPT™ Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXYN82N120C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 66A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 66A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 320A Power dissipation: 500W Technology: GenX3™; XPT™ Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |