Продукція > IXYS > IXYN85N120C4H1
IXYN85N120C4H1

IXYN85N120C4H1 IXYS

ixyn85n120c4h1-datasheet?assetguid=930f3d26-e1b3-4dd7-9c5a-00ba209dd8d1 Виробник: IXYS
Description: 1200V, 85A, XPT GEN4 C4 CO-PACK
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4030 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2429.29 грн
10+1730.54 грн
100+1526.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYN85N120C4H1 IXYS

Description: 1200V, 85A, XPT GEN4 C4 CO-PACK, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 85A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227B, IGBT Type: Trench, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 600 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4030 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXYN85N120C4H1 за ціною від 1525.89 грн до 2622.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYN85N120C4H1 IXYN85N120C4H1 Виробник : IXYS Power-Semiconductor-Discrete-IGBT-IXYN85N120C4H1-Datasheet.pdf IGBT Modules IXYN85N120C4H1
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2622.68 грн
10+1912.17 грн
100+1525.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN85N120C4H1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD09BD40F73777C80E1&compId=IXYN85N120C4H1.pdf?ci_sign=aab417eea0514b6583e79adf046c9f236adf1df5 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 85A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Collector current: 85A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 600W
Pulsed collector current: 420A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: GenX4™; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.