IXYP20N120C3 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 40A TO-220-3
Part Status: Active
Gate Charge: 53 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Supplier Device Package: TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 457.44 грн |
| 50+ | 235.52 грн |
| 100+ | 215.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYP20N120C3 IXYS
Description: IGBT 1200V 40A TO-220-3, Part Status: Active, Gate Charge: 53 nC, Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns, Supplier Device Package: TO-220-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Power - Max: 278 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A.
Інші пропозиції IXYP20N120C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXYP20N120C3 | IXYS/Littelfuse |
Транзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 40 А, tз, мс = 0,02, Р, Вт = 278, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 90,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |
| IXYP20N120C3 |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
IXYP20N120C3 | IXYS |
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IXYP20N120C3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 278W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 96A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 60ns Gate charge: 53nC Turn-off time: 200ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXYP20N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS/Littelfuse
Транзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 40 А, tз, мс = 0,02, Р, Вт = 278, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 90,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Транзистор IGBT, Uceb, В = 1 200, Ic = 40 А, tз, мс = 0,02, Р, Вт = 278, Тип монт. = Вивідний, td(off), нс = 90,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXYP20N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXYP20N120C3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Gate charge: 53nC
Turn-off time: 200ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 278W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 96A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 60ns
Gate charge: 53nC
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



