Продукція > IXYS > IXYP20N65B3D1
IXYP20N65B3D1

IXYP20N65B3D1 IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixyp20n65b3d1-datasheet?assetguid=78b3e9dc-6946-4b8d-a2c0-eb8b9168de3b
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 58A TO-220
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYP20N65B3D1 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, Power dissipation: 230W, Case: TO220-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Collector current: 20A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 108A, Collector-emitter voltage: 650V, Turn-on time: 39ns, Gate charge: 29nC, Turn-off time: 271ns.

Інші пропозиції IXYP20N65B3D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyp20n65b3d1-datasheet?assetguid=78b3e9dc-6946-4b8d-a2c0-eb8b9168de3b IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1 IXYS IXYP20N65B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 39ns
Gate charge: 29nC
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixyp20n65b3d1-datasheet?assetguid=78b3e9dc-6946-4b8d-a2c0-eb8b9168de3b
IXYP20N65B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1.pdf
IXYP20N65B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 39ns
Gate charge: 29nC
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.