IXYP20N65C3 IXYS
Виробник: IXYS
Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYP20N65C3 IXYS
Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP, Packaging: Tube, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Reverse Recovery Time (trr): 135 ns, Gate Charge: 30 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції IXYP20N65C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYP20N65C3 | Виробник : IXYS | IGBTs TO220 650V 20A GENX3 |
товару немає в наявності |
|
| IXYP20N65C3 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 200W; TO220AB Type of transistor: IGBT Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 50A Pulsed collector current: 105A Collector-emitter voltage: 650V Gate charge: 30nC |
товару немає в наявності |