Продукція > IXYS > IXYP20N65C3

IXYP20N65C3 IXYS


Виробник: IXYS
Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYP20N65C3 IXYS

Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP, Packaging: Tube, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Reverse Recovery Time (trr): 135 ns, Gate Charge: 30 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції IXYP20N65C3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYP20N65C3 IXYP20N65C3 IXYS IGBTs TO220 650V 20A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3 IXYS Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 105A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3
IXYP20N65C3
Виробник: IXYS
IGBTs TO220 650V 20A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 200W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 105A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.