Продукція > LITTELFUSE > IXYP20N65C3D1
IXYP20N65C3D1

IXYP20N65C3D1 Littelfuse

ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65c3d1_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYP20N65C3D1 Littelfuse

Description: IGBT PT 650V 50A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 135 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns, Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 30 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції IXYP20N65C3D1 за ціною від 114.15 грн до 367.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+156.04 грн
10+138.72 грн
50+127.86 грн
100+117.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+169.65 грн
81+150.83 грн
88+139.01 грн
100+127.52 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.46 грн
7+144.84 грн
18+137.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 30nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.15 грн
7+180.49 грн
18+164.61 грн
1000+158.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : IXYS media-3319979.pdf IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.29 грн
10+258.04 грн
50+154.49 грн
100+141.99 грн
500+127.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : IXYS Description: IGBT PT 650V 50A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.56 грн
50+173.64 грн
100+157.95 грн
500+122.44 грн
1000+114.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : LITTELFUSE Description: LITTELFUSE - IXYP20N65C3D1 - IGBT, 50 A, 2.27 V, 200 W, 650 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.27V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+367.25 грн
10+189.82 грн
100+172.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.