Продукція > LITTELFUSE > IXYP20N65C3D1M

IXYP20N65C3D1M Littelfuse

Name: IXYP20N65C3D1M
Brand: IXYS
SKU: 459857977-1
Price: 297.1 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 650V 18A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXYP20N65C3D1M Littelfuse

Description: IGBT PT 650V 18A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns, Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 30 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 18 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 50 W.

Інші пропозиції IXYP20N65C3D1M

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXYP20N65C3D1M	Виробник : IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 50W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 30nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 9A Pulsed collector current: 105A Turn-on time: 51ns Turn-off time: 132ns кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXYP20N65C3D1M	Виробник : IXYS	Description: IGBT PT 650V 18A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 30 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 50 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXYP20N65C3D1M	Виробник : IXYS	IGBTs 650V/18A XPT IGBT C3 Copacked TO-220	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXYP20N65C3D1M	Виробник : IXYS	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Power dissipation: 50W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 30nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 9A Pulsed collector current: 105A Turn-on time: 51ns Turn-off time: 132ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.