Продукція > IXYS > IXYP30N65C3
IXYP30N65C3

IXYP30N65C3 IXYS


IXYH(P)30N65C3.pdf Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYP30N65C3 IXYS

Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns, Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 44 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 118 A, Power - Max: 270 W.

Інші пропозиції IXYP30N65C3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYP30N65C3 IXYP30N65C3 Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=15441231-dbab-4158-976c-a30abffe6233&filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n65c3_datasheet.pdf Description: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 44 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 118 A
Power - Max: 270 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N65C3 IXYP30N65C3 Виробник : IXYS media-3319703.pdf IGBTs TO220 650V 30A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP30N65C3 IXYP30N65C3 Виробник : IXYS IXYH(P)30N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.