на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 317.93 грн |
| 10+ | 205.17 грн |
| 100+ | 118.19 грн |
| 500+ | 115.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYP8N90C3 IXYS
Description: IGBT 900V 20A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-220-3, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns, Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 13.3 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A, Power - Max: 125 W.
Інші пропозиції IXYP8N90C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXYP8N90C3 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
 |
IXYP8N90C3 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3 Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 8A Pulsed collector current: 48A Turn-on time: 39ns Turn-off time: 238ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 13.3nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXYP8N90C3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 900V 20A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 13.3 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A Power - Max: 125 W |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXYP8N90C3 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3 Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 8A Pulsed collector current: 48A Turn-on time: 39ns Turn-off time: 238ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 13.3nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 900V |
товару немає в наявності |