Продукція > IXYS > IXYP8N90C3D1
IXYP8N90C3D1

IXYP8N90C3D1 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA81152D6A3820&compId=IXYA(P)8N90C3D1.pdf?ci_sign=c7b8202f446f82c0bef2c4432c38a5e99932308d Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.50 грн
3+223.24 грн
5+194.94 грн
14+184.72 грн
50+177.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYP8N90C3D1 IXYS

Description: IGBT 900V 20A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 114 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-220-3, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns, Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 13.3 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A, Power - Max: 125 W.

Інші пропозиції IXYP8N90C3D1 за ціною від 212.80 грн до 457.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA81152D6A3820&compId=IXYA(P)8N90C3D1.pdf?ci_sign=c7b8202f446f82c0bef2c4432c38a5e99932308d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 48A
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 13.3nC
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 900V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+321.00 грн
3+278.19 грн
5+233.93 грн
14+221.67 грн
50+213.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 Виробник : IXYS media-3322124.pdf IGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBTs
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.79 грн
10+341.04 грн
100+212.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n90c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP8N90C3D1 IXYP8N90C3D1 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgh42n30c3-datasheet?assetguid=cfdebaeb-c0d6-454a-8b5e-9c212af484cf Description: IGBT 900V 20A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.