Продукція > IXYS > IXYR100N120C3

IXYR100N120C3 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyr100n120c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 484 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2187.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYR100N120C3 IXYS

Description: IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns, Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off), Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 270 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 104 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A, Power - Max: 484 W.

Інші пропозиції IXYR100N120C3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXYR100N120C3 IXYR100N120C3 IXYS media-3321024.pdf IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N120C3 IXYR100N120C3 IXYS IXYR100N120C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 56A; 484W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 484W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N120C3 media-3321024.pdf
Виробник: IXYS
IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYR100N120C3 IXYR100N120C3.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 56A; 484W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 484W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 271ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.