на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2048.46 грн |
| 10+ | 1862.57 грн |
| 30+ | 1546.86 грн |
| 120+ | 1382.63 грн |
| 510+ | 1244.43 грн |
| 1020+ | 1216.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYR100N120C3 IXYS
Description: IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns, Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off), Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 270 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 104 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A, Power - Max: 484 W.
Інші пропозиції IXYR100N120C3 за ціною від 1874.32 грн до 2110.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "IXYR100N120C3") |
IXYR100N120C3 | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off) Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 270 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 104 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A Power - Max: 484 W |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXYR100N120C3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 104A 484000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||
 |
IXYR100N120C3 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 56A; 484W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 56A Power dissipation: 484W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Mounting: THT Gate charge: 260nC Kind of package: tube Turn-on time: 143ns Turn-off time: 271ns |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IXYR100N120C3 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 56A; 484W; PLUS247™ Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 56A Power dissipation: 484W Case: PLUS247™ Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Mounting: THT Gate charge: 260nC Kind of package: tube Turn-on time: 143ns Turn-off time: 271ns |
товар відсутній |