Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYT30N65C3H1HV IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV, Transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™, Power dissipation: 270W, Case: TO268HV, Mounting: SMD, Gate charge: 44nC, Kind of package: tube, Collector current: 30A, Collector-emitter voltage: 650V, Pulsed collector current: 118A, Turn-on time: 59ns, Turn-off time: 0.12µs, Gate-emitter voltage: ±20V.
Інші пропозиції IXYT30N65C3H1HV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXYT30N65C3H1HV | IXYS |
IGBTs 650V/60A XPT Copacked TO-268HV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXYT30N65C3H1HV | IXYS |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV Transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Power dissipation: 270W Case: TO268HV Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: tube Collector current: 30A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 118A Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXYT30N65C3H1HV |
![]() |
Виробник: IXYS
IGBTs 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
IGBTs 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXYT30N65C3H1HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



