Продукція > IXYS > IXYT80N90C3

IXYT80N90C3 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_80n90c3_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
IXYT80N90C3 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYT80N90C3 IXYS

Description: IGBT 900V 165A TO268AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-268AA, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/90ns, Switching Energy: 4.3mJ (on), 1.9mJ (off), Test Condition: 450V, 80A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 145 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 165 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A, Power - Max: 830 W.

Інші пропозиції IXYT80N90C3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYT80N90C3 IXYT80N90C3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_80n90c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 900V 165A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/90ns
Switching Energy: 4.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Test Condition: 450V, 80A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 165 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYT80N90C3 IXYT80N90C3 Виробник : IXYS media-3323042.pdf IGBTs TO268 900V 80A XPT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.