Продукція > IXYS > IXYX100N120B3
IXYX100N120B3

IXYX100N120B3 IXYS


DS100519AIXYKX100N120B3.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 225A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/153ns
Switching Energy: 7.7mJ (on), 7.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 530 A
Power - Max: 1150 W
на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1452.51 грн
30+977.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYX100N120B3 IXYS

Description: IGBT PT 1200V 225A PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/153ns, Switching Energy: 7.7mJ (on), 7.1mJ (off), Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 250 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 225 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 530 A, Power - Max: 1150 W.

Інші пропозиції IXYX100N120B3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYX100N120B3 IXYX100N120B3 Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_100n120b3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 225A 1150000mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120B3 IXYX100N120B3 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_100N120B3_Datasheet.PDF IGBTs PLUS247 1200V 100A GENX3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N120B3 IXYX100N120B3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DADD33AF7E1F820&compId=IXYX100N120B3.pdf?ci_sign=a971886d073e07e1aad4c66229bcf59f49c76f6c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Power dissipation: 1.15kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 530A
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 450ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.