Продукція > IXYS > IXYX100N65B3D1

IXYX100N65B3D1 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_100n65b3d1_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
IXYX100N65B3D1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYX100N65B3D1 IXYS

Description: IGBT PT 650V 225A PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 156 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/150ns, Switching Energy: 1.27mJ (on), 1.37mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 168 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 225 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A, Power - Max: 830 W.

Інші пропозиції IXYX100N65B3D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYX100N65B3D1 IXYX100N65B3D1 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_100n65b3d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT PT 650V 225A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 156 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/150ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 1.37mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 225 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 830 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX100N65B3D1 IXYX100N65B3D1 Виробник : IXYS media-3322931.pdf IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.