
IXYX110N120B4 IXYS

IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1629.44 грн |
10+ | 1427.41 грн |
30+ | 1041.05 грн |
120+ | 943.24 грн |
270+ | 931.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYX110N120B4 IXYS
Description: IGBT 1200V 340A PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/390ns, Switching Energy: 3.6mJ (on), 3.85mJ (off), Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 340 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 340 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A, Power - Max: 1360 W.
Інші пропозиції IXYX110N120B4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IXYX110N120B4 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
IXYX110N120B4 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A Supplier Device Package: PLUS247™-3 Td (on/off) @ 25°C: 45ns/390ns Switching Energy: 3.6mJ (on), 3.85mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 340 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 340 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A Power - Max: 1360 W |
товару немає в наявності |