Продукція > IXYS > IXYX120N120B3
IXYX120N120B3

IXYX120N120B3 IXYS

IXYX120N120B3.pdf Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1825.77 грн
2+ 1603.1 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYX120N120B3 IXYS

Description: IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 54 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/340ns, Switching Energy: 9.7mJ (on), 21.5mJ (off), Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 400 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 320 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A, Power - Max: 1500 W.

Інші пропозиції IXYX120N120B3 за ціною від 1997.71 грн до 2190.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXYX120N120B3 IXYX120N120B3 Виробник : IXYS IXYX120N120B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 120A; 1.5kW; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 120A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 826ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2190.93 грн
2+ 1997.71 грн
IXYX120N120B3 IXYX120N120B3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXYX120N120B3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_120n120b3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/340ns
Switching Energy: 9.7mJ (on), 21.5mJ (off)
Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 400 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 800 A
Power - Max: 1500 W
товар відсутній
IXYX120N120B3 IXYX120N120B3 Виробник : IXYS media-3319502.pdf IGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
товар відсутній