Продукція > IXYS > IXYY8N90C3
IXYY8N90C3

IXYY8N90C3 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA8BDD5D271820&compId=IXYP(y)8N90C3.pdf?ci_sign=87d38d8134be933eddf2b12248973e933ae93bed Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.46 грн
7+133.68 грн
20+126.60 грн
140+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXYY8N90C3 IXYS

Description: IGBT 900V 20A TO-252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-252AA, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns, Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 13.3 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A, Power - Max: 125 W.

Інші пропозиції IXYY8N90C3 за ціною від 90.40 грн до 335.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixy-8n90c3-datasheet?assetguid=11d4bd5c-8ae2-405e-8bec-58f631ef5fbe Description: IGBT 900V 20A TO-252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.99 грн
70+133.39 грн
140+121.40 грн
560+96.52 грн
1050+90.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_8N90C3_Datasheet.PDF IGBTs 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.20 грн
70+140.64 грн
560+120.03 грн
1050+117.01 грн
2520+114.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAA8BDD5D271820&compId=IXYP(y)8N90C3.pdf?ci_sign=87d38d8134be933eddf2b12248973e933ae93bed Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 900V
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 8A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.35 грн
7+166.59 грн
20+151.92 грн
140+146.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n90c3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 20A 125000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.