
IXYY8N90C3 IXYS

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 8A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 48A
Mounting: SMD
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 39ns
Turn-off time: 238ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 275.47 грн |
7+ | 131.77 грн |
20+ | 124.80 грн |
140+ | 120.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXYY8N90C3 IXYS
Description: IGBT 900V 20A TO-252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Supplier Device Package: TO-252AA, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns, Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off), Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 13.3 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A, Power - Max: 125 W.
Інші пропозиції IXYY8N90C3 за ціною від 95.12 грн до 330.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXYY8N90C3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXYY8N90C3 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 13.3 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A Power - Max: 125 W |
на замовлення 2784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXYY8N90C3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 8A Power dissipation: 125W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 48A Mounting: SMD Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Turn-on time: 39ns Turn-off time: 238ns Technology: GenX3™; Planar; XPT™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 308 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXYY8N90C3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |