IXZ308N120 IXYS-RF
Виробник: IXYS-RF
Description: RF MOSFET 100V DE375
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Current Rating (Amps): 8A
Frequency: 65MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 880W
Gain: 23dB
Technology: MOSFET
Supplier Device Package: DE375
Voltage - Rated: 1200 V
Voltage - Test: 100 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXZ308N120 IXYS-RF
Description: IXYS RF - IXZ308N120 - HF-FET-Transistor, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375, Betriebsfrequenz, max.: -, Bauform - HF-Transistor: DE-375, Anzahl der Pins: 6, Betriebsfrequenz, min.: -, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2, Dauer-Drainstrom Id: 8, Verlustleistung Pd: 880, Betriebstemperatur, max.: 175, Produktpalette: -, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXZ308N120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXZ308N120 | IXYS Integrated Circuits |
RF MOSFET Transistors 08A 1200V N Channel ZMOS Switch MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXZ308N120 | IXYS RF |
Description: IXYS RF - IXZ308N120 - HF-FET-Transistor, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375 Betriebsfrequenz, max.: - Bauform - HF-Transistor: DE-375 Anzahl der Pins: 6 Betriebsfrequenz, min.: - Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 8 Verlustleistung Pd: 880 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXZ308N120 |
|
Виробник: IXYS Integrated Circuits
RF MOSFET Transistors 08A 1200V N Channel ZMOS Switch MOSFET
RF MOSFET Transistors 08A 1200V N Channel ZMOS Switch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXZ308N120 |
|
Виробник: IXYS RF
Description: IXYS RF - IXZ308N120 - HF-FET-Transistor, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375
Betriebsfrequenz, max.: -
Bauform - HF-Transistor: DE-375
Anzahl der Pins: 6
Betriebsfrequenz, min.: -
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 8
Verlustleistung Pd: 880
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS RF - IXZ308N120 - HF-FET-Transistor, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375
Betriebsfrequenz, max.: -
Bauform - HF-Transistor: DE-375
Anzahl der Pins: 6
Betriebsfrequenz, min.: -
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 8
Verlustleistung Pd: 880
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.