J108,126 NXP Semiconductors
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис J108,126 NXP Semiconductors
Description: JFET N-CH 25V TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 0V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Power - Max: 400 mW, Resistance - RDS(On): 8 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 µA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 mA @ 5 V.
Інші пропозиції J108,126
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
J108,126 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans JFET N-CH 25V 80mA Si 3-Pin SPT Ammo |
товар відсутній |
|
,TO-226_straightlead.jpg "J108,126") |
J108,126 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: JFET N-CH 25V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 0V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 400 mW Resistance - RDS(On): 8 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80 mA @ 5 V |
товар відсутній |