
J111,126 NXP USA Inc.

Description: JFET N-CH 40V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 400 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1066+ | 20.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис J111,126 NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 40V TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS), Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Power - Max: 400 mW, Resistance - RDS(On): 30 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 µA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V.
Інші пропозиції J111,126 за ціною від 27.87 грн до 27.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
J111,126 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
J111,126 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
J111,126 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Power - Max: 400 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
J111,126 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |