J111,126

J111,126 NXP USA Inc.


J111%2C112%2C113.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: JFET N-CH 40V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 400 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1066+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 1066
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис J111,126 NXP USA Inc.

Description: JFET N-CH 40V TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS), Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Power - Max: 400 mW, Resistance - RDS(On): 30 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 µA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V.

Інші пропозиції J111,126 за ціною від 27.87 грн до 27.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
J111,126 J111,126 Виробник : NXP Semiconductors j111_112_113_cnv_2.pdf Trans JFET N-CH 40V Si 3-Pin SPT Ammo
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1095+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 1095
В кошику  од. на суму  грн.
J111,126 J111,126 Виробник : NXP Semiconductors j111_112_113_cnv_2.pdf Trans JFET N-CH 40V Si 3-Pin SPT Ammo
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J111,126 J111,126 Виробник : NXP USA Inc. J111%2C112%2C113.pdf Description: JFET N-CH 40V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 400 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J111,126 J111,126 Виробник : NXP Semiconductors J111_112_113_CNV-87295.pdf RF JFET Transistors N-Channel Single 40V 20mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.