
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 8.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис J111-D26Z ON Semiconductor
Description: ONSEMI - J111-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -10 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції J111-D26Z за ціною від 6.30 грн до 22.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
J111-D26Z | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111-D26Z | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111-D26Z | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111-D26Z | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Power - Max: 625 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111-D26Z | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111-D26Z | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Power - Max: 625 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V |
на замовлення 43860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111-D26Z | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 19533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111-D26Z | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: - MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 11079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111-D26Z | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
J111-D26Z | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
J111-D26Z | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA Mounting: THT Type of transistor: N-JFET Case: TO92 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -35V Drain current: 20mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.625W On-state resistance: 30Ω Kind of package: tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
J111-D26Z | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA Mounting: THT Type of transistor: N-JFET Case: TO92 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -35V Drain current: 20mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.625W On-state resistance: 30Ω Kind of package: tape |
товару немає в наявності |