Інші пропозиції J111 за ціною від 5.51 грн до 691.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
J111 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA Mounting: THT Type of transistor: N-JFET Case: TO92 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -35V Drain current: 20mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.625W On-state resistance: 30Ω Kind of package: bulk |
на замовлення 5671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Power - Max: 625 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V |
на замовлення 1528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 8824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA Mounting: THT Type of transistor: N-JFET Case: TO92 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -35V Drain current: 20mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.625W On-state resistance: 30Ω Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5671 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Anzahl der Pins: 3Pin(s) Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : InterFET |
![]() |
на замовлення 1653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
J111 | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
J111 Код товару: 164009
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
J111 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
J111 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |