| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 533.60 грн |
| 10+ | 474.48 грн |
| 25+ | 393.31 грн |
| 100+ | 341.65 грн |
| 250+ | 325.81 грн |
| 500+ | 297.56 грн |
| 1000+ | 271.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N3611 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 300 V, Qualification: MIL-PRF-19500/228.
Інші пропозиції JAN1N3611
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N3611 | MICROSEMI |
DO-41/1 A, SILICON, SIGNAL DIODE JAN1N3611кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
JAN1N3611 | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIALPackaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 300 V Qualification: MIL-PRF-19500/228 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 184 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN1N3611 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 300 V
Qualification: MIL-PRF-19500/228
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 300 V
Qualification: MIL-PRF-19500/228
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику
од. на суму грн.




