Технічний опис JAN1N3612 MICROSEMI
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 300 V.
Інші пропозиції JAN1N3612
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
|
JAN1N3612 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 300 V |
товару немає в наявності |
|
JAN1N3612 | Виробник : Semtech Corporation |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товару немає в наявності |
||
![]() |
JAN1N3612 | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |