на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 369.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N3613 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 300 V, Qualification: MIL-PRF-19500/228.
Інші пропозиції JAN1N3613
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N3613 | Виробник : MICROSEMI |
 DO-41/1 A, SILICON, SIGNAL DIODE JAN1N3613кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JAN1N3613 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 300 V Qualification: MIL-PRF-19500/228 |
товару немає в наявності |