на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 392.24 грн |
| 100+ | 385.79 грн |
| 250+ | 311.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N4248 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 5 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/286.
Інші пропозиції JAN1N4248
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N4248 | Виробник : Microchip Technology |
 Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIALPackaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/286 |
товару немає в наявності |