Технічний опис JAN1N5416US Sensitron Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V, Qualification: MIL-PRF-19500/411.
Інші пропозиції JAN1N5416US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5416US | Виробник : Microchip Technology |
 Diode Switching 100V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
товару немає в наявності |
|
| JAN1N5416US | Виробник : MICROSEMI |
E_SQ._MELF/Fast Rectifier (100-500ns) 1N5416 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JAN1N5416US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/411 |
товару немає в наявності |
|
 |
JAN1N5416US | Виробник : Microchip / Microsemi |
Rectifiers 110V 3A UFR,FRR SQ SMT |
товару немає в наявності |