Продукція > MICROCHIP / MICROSEMI > JAN1N5417
JAN1N5417

JAN1N5417 Microchip / Microsemi

LDS_0231_1N5415_thru_1N5420_MIL_PRF_19500_411.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Rectifiers 220V 3A UFR,FRR THT
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+447.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN1N5417 Microchip / Microsemi

Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL, Qualification: MIL-PRF-19500/411, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Grade: Military, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: B, Axial, Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: B, Axial, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції JAN1N5417

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JAN1N5417 Semtech 124360-lds-0231-datasheet 362.d73gLFwwstjqRE71eWY7ZjB7rlAMhCT2R1CbTTg -D MET 3A FAST 200V POWER DISCR 1N5417
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5417 JAN1N5417 Microchip Technology 124360-lds-0231-datasheet Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Qualification: MIL-PRF-19500/411
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Military
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5417 Semtech Corporation 362.d73gLFwwstjqRE71eWY7ZjB7rlAMhCT2R1CbTTg Description: DIODE STANDARD 200V 4.5A AXIAL
Qualification: MIL-PRF-19500/411
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Military
Supplier Device Package: Axial
Current - Average Rectified (Io): 4.5A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5417 124360-lds-0231-datasheet 362.d73gLFwwstjqRE71eWY7ZjB7rlAMhCT2R1CbTTg
Виробник: Semtech
-D MET 3A FAST 200V POWER DISCR 1N5417
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5417 124360-lds-0231-datasheet
JAN1N5417
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Qualification: MIL-PRF-19500/411
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Military
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5417 362.d73gLFwwstjqRE71eWY7ZjB7rlAMhCT2R1CbTTg
Виробник: Semtech Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 4.5A AXIAL
Qualification: MIL-PRF-19500/411
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Military
Supplier Device Package: Axial
Current - Average Rectified (Io): 4.5A
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.