Технічний опис JAN1N5554 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Qualification: MIL-PRF-19500/420.
Інші пропозиції JAN1N5554
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5554 | MICROSEMI |
 B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
JAN1N5554 | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: MIL-PRF-19500/420 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 104 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
JAN1N5554 | Semtech |
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| JAN1N5554 |
|
Виробник: MICROSEMI
B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554
кількість в упаковці: 1 шт
B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JAN1N5554 |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: MIL-PRF-19500/420
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику
од. на суму грн.