Продукція > MICROCHIP / MICROSEMI > JAN1N5554
JAN1N5554

JAN1N5554 Microchip / Microsemi

LDS-0230,+1N5550+thru+1N5554,+MIL-PRF-19500-420.pdf
Виробник: Microchip / Microsemi
Rectifiers 1100V 3A Std Rectifier THT
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+778.81 грн
10+705.85 грн
25+588.65 грн
100+518.12 грн
250+429.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JAN1N5554 Microchip / Microsemi

Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL, Qualification: MIL-PRF-19500/420, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Grade: Military, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: B, Axial, Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: B, Axial, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції JAN1N5554

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
JAN1N5554 MICROSEMI 11519-lds-0230-datasheet B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554 JAN1N5554 Microchip Technology 11519-lds-0230-datasheet Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Qualification: MIL-PRF-19500/420
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Grade: Military
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554 JAN1N5554 Semtech 1n55xx-1276560-1604938.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554 11519-lds-0230-datasheet
Виробник: MICROSEMI
B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554 11519-lds-0230-datasheet
JAN1N5554
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Qualification: MIL-PRF-19500/420
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Grade: Military
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN1N5554 1n55xx-1276560-1604938.pdf
JAN1N5554
Виробник: Semtech
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.