JAN1N5554 Microchip / Microsemi
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 530.19 грн |
| 100+ | 494.83 грн |
| 250+ | 421.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N5554 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Qualification: MIL-PRF-19500/420.
Інші пропозиції JAN1N5554
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5554 | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 1KV 5A 2000ns 2-Pin Case E Bag |
товару немає в наявності |
|
| JAN1N5554 | Виробник : MICROSEMI |
B/VOIDLESS HERMETICALLY SEALED STANDARD RECOVERY GLASS RECTIFIERS 1N5554 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JAN1N5554 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: MIL-PRF-19500/420 |
товару немає в наявності |
|
 |
JAN1N5554 | Виробник : Semtech |
ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 1KV |
товару немає в наявності |