на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 565.07 грн |
100+ | 518.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N5615US Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/429.
Інші пропозиції JAN1N5615US
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JAN1N5615US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin A-MELF Bag |
товар відсутній |
||
JAN1N5615US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 200 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/429 |
товар відсутній |