на замовлення 488 шт:
термін постачання 268-277 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 336.45 грн |
| 100+ | 308.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N5618 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V, Qualification: MIL-PRF-19500/427.
Інші пропозиції JAN1N5618
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5618 | Виробник : MICROSEMI |
 A/1 A, SILICON, SIGNAL DIODE JAN1N5618кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| JAN1N5618 | Виробник : Semtech |
TO204/1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE POWER DISCR 1N5618 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
JAN1N5618 | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V Qualification: MIL-PRF-19500/427 |
товару немає в наявності |
|
| JAN1N5618 | Виробник : Semtech Corporation |
Description: D MET 1A STD 600V Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |