Технічний опис JAN1N5655A Microchip Technology
Category: Unidirectional TVS THT diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 77.9V; 13.3A; unidirectional; DO13; Ch: 1, Mounting: THT, Breakdown voltage: 77.9V, Max. forward impulse current: 13.3A, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Operating temperature: -65...175°C, Max. off-state voltage: 70.1V, Semiconductor structure: unidirectional, Case: DO13, Type of diode: TVS, Number of channels: 1.
Інші пропозиції JAN1N5655A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5655A | Microchip / Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
JAN1N5655A | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Unidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 77.9V; 13.3A; unidirectional; DO13; Ch: 1 Mounting: THT Breakdown voltage: 77.9V Max. forward impulse current: 13.3A Peak pulse power dissipation: 1.5kW Operating temperature: -65...175°C Max. off-state voltage: 70.1V Semiconductor structure: unidirectional Case: DO13 Type of diode: TVS Number of channels: 1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN1N5655A |
![]() |
Виробник: Microchip / Microsemi
ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS
ESD Suppressors / TVS Diodes Hi Rel TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| JAN1N5655A |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 77.9V; 13.3A; unidirectional; DO13; Ch: 1
Mounting: THT
Breakdown voltage: 77.9V
Max. forward impulse current: 13.3A
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Operating temperature: -65...175°C
Max. off-state voltage: 70.1V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO13
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 77.9V; 13.3A; unidirectional; DO13; Ch: 1
Mounting: THT
Breakdown voltage: 77.9V
Max. forward impulse current: 13.3A
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Operating temperature: -65...175°C
Max. off-state voltage: 70.1V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO13
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.




