| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 322.60 грн |
| 10+ | 311.57 грн |
| 25+ | 264.65 грн |
| 100+ | 259.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JAN1N5806 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL, Qualification: MIL-PRF-19500/477, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Grade: Military, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: A, Axial, Current - Average Rectified (Io): 2.5A, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: A, Axial, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції JAN1N5806
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5806 | MICROSEMI |
A/ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N5806 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
|
JAN1N5806 | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/477 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: A, Axial Current - Average Rectified (Io): 2.5A Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: A, Axial Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 159 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN1N5806 | Semtech Corporation |
Description: D MET 6A SFST 50V Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| JAN1N5806 |
Виробник: MICROSEMI
A/ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N5806
кількість в упаковці: 1 шт
A/ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N5806
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| JAN1N5806 |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
Qualification: MIL-PRF-19500/477
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Grade: Military
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
Qualification: MIL-PRF-19500/477
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Grade: Military
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику
од. на суму грн.



